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阮永丰
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- 姓名:阮永丰
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优秀教师/优秀教育工作者, 博士生导师
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凝聚态物理学
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阮永丰 , 侯贝贝, 李连钢, 王鹏飞, 陈敬, 黄丽
硅酸盐学报,第42卷第3期,2014年3月,-0001,():
-1年11月30日
利用透射电子显微镜、紫外-可见-近红外光谱以及拉曼光谱,对经受了剂量为1.67×1020 n/cm2的中子辐照的n型半导体6h-sic晶体进行了微观结构、光学性质及退火过程的研究。结果显示,辐照并没有造成样品的完全非晶化,辐照缺陷主要是点缺陷及其聚集体。辐照后的样品的光吸收明显增加,带隙变小,乌尔巴赫能量变大,且在1178nm,1410nm,1710nm处出现新的吸收峰。1178nm峰和1410nm峰的出现归因于辐照产生的si空位。对辐照样品进行了室温至1600℃退火,发现800℃是退火过程的转折点。低于800℃退火时,样品中的弗兰克尔对、间隙原子和vc消失;高于800℃退火时,vsi逐渐消亡,或转化为更稳定的复杂缺陷团。为了解释与vsi有关的多个光谱峰,建立了sic中硅空位的“类铍原子模型”。
中子辐照, sic, 光学性质, 类铍原子模型
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2013-07-21
阮永丰, 陈 敬, 李连刚, 祝 威, 王鹏飞, 侯贝贝, 王 帅
硅酸盐学报, 2013,41(6): 812-819,-0001,():
-1年11月30日
在60~80 ℃用剂量为1.67 × 1020 n/cm2的全能谱中子对掺氮6h-sic晶体进行了辐照,对辐照样品从室温至1 600 ℃进行了等时退火,研究了辐照和退火对样品电学性能的影响。大剂量中子辐照在晶体内产生了大量缺陷和损伤,并引起样品的电学性能发生变化,使电阻率升高、介电常数和介电损耗减小。测试表明,在辐照缺陷及其电学性能的退火演化过程中,存在约为1 000和1 400 ℃两个特征温度。当退火温度低于1 000 ℃时,随着退火温度的升高,电阻率小幅增加,而介电常数和介电损耗亦下降;在退火温度高于1 000 ℃时,电阻率开始下降。在退火温度高于1 400 ℃时,电阻率急剧地下降,而介电常数和介电损耗快速地增加。以间隙原子和空位为缺陷的主要形式作为辐照损伤的模型,对上述现象做了定性解释。测试还表明,掺氮6h-sic的介电常数高达3.5 × 104,这一奇特的物性主要来源于电子的长程迁移极化。
掺氮sic晶体, 中子辐照, 退火, 电阻率, 介电性能
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2012-11-26
阮永丰, 阮永丰() , 李 岚()
人工晶体学报,第41卷增刊 (2012),第80-92页,-0001,():
-1年11月30日
本文就当前纳米zno的电致发光研究进展作出综述,评论的重点在于zno缺陷态的无p-n结结构的电致发光,部分工作也涉及到激子态发光。文中所列研究结果和数据,除注明外均为本组工作,其中某些是首次报告。
zno, 电致发光, 纳米线, 量子点, 光子晶体
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2012-11-26
阮永丰, yongfeng ruan, pengfei wang, li huang and wei zhu
key engineering materials vol. 495 (2012) pp 335-338,-0001,():
-1年11月30日
掺氮的6h-sic晶体经中子辐照至通量为5.74×1018 n/cm2,辐照在60-80℃的温度下进行,并使用x-光衍射仪及金相显微镜对辐照结果进行表征。实验结果显示,xrd的(0006)峰的半高宽(fwhm)因辐照导致的晶格畸变而展宽,并在等时退火中当退火温度超过700℃时线性变窄。辐照后及辐照后退火样品的显微照片显示,上述退火行为伴随有位错密度的变化。根据中子辐照的6h-sic晶体的上述退火特征,发展了一种新型的使用中子辐照6h-sic晶体的温度传感器,该传感器适应的温度范围为700-1300℃,或更高。后续的应用试验证实,该传感器可承受严格的应力测试,并具有不超过±5%的相对误差。
6h-sic, 中子辐照, 位错, x-光衍射, 温度传感器
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2012-11-26
阮永丰, 王友发, 吴周礼, 李文润, 王帅, 童红双, 阮永丰†
物理学报 acta phys. sin. vol. 61, no. 22 (2012) 228105,-0001,():
-1年11月30日
采用中频感应单晶炉和提拉法生长了高质量的掺ce的yvo4晶体, 并采用了两种不同的方式进行掺杂, 即分别在yvo4晶体掺入了ce2(co3)3和ceo2, 两种不同方式的掺杂浓度均为2at%. 使用xrd测试了这两种晶体的物相, 发现样品主要以yvo4相存在. 吸收谱、荧光光谱和激发光谱的测试发现, 这两种不同掺杂方式所得到的样品具有相似的光谱特性, 即使用325nm的紫外光激发时, 两种样品均可发出以440nm为中心的宽带蓝光, 这是来自ce3 离子的5d→4f的特征发射;而在460nm的激发下, 两种样品又均可发出以620nm为中心的宽带红光. 通过x射线光电子能谱(xps)对样品中的各个元素进行的测试分析, 发现氧元素的1s峰分裂为529.8ev和531.8ev, 这说明晶体中存在两种配位氧离子, 一种是正常配位的氧离子(o2-), 另一种是带空穴的配位氧离子(o-). 由ce的xps测试结果中展现的5个5d峰推断, 样品中的铈是以ce3 和ce4 两种形式共存, 这种共存与两种配位氧离子的存在密切相关. 我们认为, ce:yvo4晶体的宽带红光发射来自ce4 -o2-的电荷迁移发光, 并且它有可能因此而成为一种新型的用于白光led的红色荧光粉.
ce:yvo4,, 电荷迁移态,, 光谱,, xps
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2008-01-09
阮永丰, 张守超, 李广慧, 李文润, 孙伟
,-0001,():
-1年11月30日
首次报告了上转换激光晶体er3 : bay2f8的温度梯度法生长及其光谱参数分析。所得到的er3 : bay2f8晶体的半径为10mm,长度达40mm,是目前国内最大的此种晶体。测试了晶体的吸收光谱,吸收光谱中er3 离子的特征吸收峰清晰可辨。根据j-o理论的计算,得到了唯象的晶场参数ωi ( i =2,4,6),其数值分别为1.43×10-20cm2,0.49×10-20cm2和1.36×10-20cm2。重点分析了er3 : bay2f8晶体的各能级的荧光寿命,较之氧化物有很大的提高,其中4i11/2能级的寿命约为5ms,这样大的荧光寿命对于上转换激光的形成极为有利。
er:bay2f8 温度梯度法 晶体生长 上转换激光 j-o理论
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2008-01-09
阮永丰, 李连钢
,-0001,():
-1年11月30日
本文利用旋转向量场方法首次证明了描述电荷密度波的非线性方程-gruner方程具有周期解.
电荷密度波 cdw gruner方程 旋转向量场 非线性方程 周期解
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2007-05-16
阮永丰, 姚素薇, 李增智, 刘克里, 小若正伦
中国腐蚀与防护学报1993年12月第13卷第4期/journal of chinese society of corrosion and protection december 1993, vol. 13, no. 4,-0001,():
-1年11月30日
to improve the corrosion resistance of electrodeposited amorphous fe-w alloy film in neutral solution, two kinds of baths for electrodepositing amorphous fe-w-cr alloy film were developed. bath i, a tartrate-citrate based bath, is applicable for plating an alloy film containing less chromium (about 1~2%), which improves corrosion resistance to some extent in both hcl and neutral solutions. bath ii with bartrate-formate-glycine can produce an alloy film containing more chromium (about 60wt% for the maximum content), whose corrosion resistance was remarkably improved in hcl solution. the compositions and electroplating conditions of the two baths, the exectrochemical impedance spectra and anodic polarization curves of the exectrodeposited amorphous fe-w-cr alloy in 3% nacl solution are presented.
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2007-05-16
阮永丰, 张涛, 王建国, 龚正烈, 万良风
应用激光联刊vol. 4, no. 1,-0001,():
-1年11月30日
本文报告了采用lif晶体中f2-心进行的nd:yag脉冲激光器的调q实验,研究了色心调q激光器巨脉冲的时间特性和能量特性,实验表明,上述特性与调q晶体的对比度(ts/to)有关。作者观测到色心调q激光输出的阶梯形特性曲线,并用薄色心晶片成功地实现了高重复频率脉冲激光器的调q运转。
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2007-05-16
阮永丰, 万良风
大学物理1987年第3期9-12页(总第63期),-0001,():
-1年11月30日
本文概述了用磁控管法测电子荷质比的实验,并对此进行了理论研究。作者在考虑空间电荷效应的情形下,导出了rk→0时的静态圆柱形磁控管内电子运动轨迹的心状线方程,并由此导出了临界条件及测算电子荷质比的公式,所得结果对物理实验和超高频无线电电子学有参考价值。
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